卤化物钙钛矿是一类因其优越的光电特性和在高性能太阳能电池、发光二极管和激光器等设备中的潜在应用而受到关注的材料家族。
这些材料主要应用于薄膜或微米级器件。将这些材料精确整合到纳米尺度可能会开辟更多令人瞩目的应用，例如芯片上的光源、光电探测器和记忆电阻器。然而，由于这种脆弱的材料易受传统制造和图案化技术的损伤，实现这种整合一直是具有挑战性的。
为了克服这一障碍，麻省理工学院的研究人员开发了一种技术，允许在需要的地方精确控制生长单个卤化物钙钛矿纳米晶体，其位置可以精确到50纳米以内（一张纸的厚度为100,000纳米）。通过这种技术还可以精确控制纳米晶体的大小，这一点非常重要，因为大小会影响其特性。由于材料是在所需特征的局部生长的，因此不需要引入损伤的传统光刻图案步骤。
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